AD巨磁電阻的電阻值隨著外電流的增加而減小，如果I增大，巨磁電阻的電阻值減小，根據(jù)閉合電路歐姆定律，電流I增加；路端電壓U 1=E-Ir減小，電阻R 2的電壓U 2=IR 2增加，即電壓表V 1示數(shù)減小，電壓表V 2示數(shù)增大，電流表A示數(shù)增加，A正確，B錯(cuò)誤；C、D、如果I減小，巨磁電阻的電阻值增加，根據(jù)閉合電路歐姆定律，電流I減?。宦范穗妷篣 1=E-Ir增加，電阻R 2的電壓U 2=IR 2減小，即電壓表V 1示數(shù)增加，電壓表V 2示數(shù)減小，電流表A示數(shù)減小，故C錯(cuò)誤，D正確；

　兩種。根據(jù)調(diào)查巨磁電阻傳感器的相關(guān)資料得知，巨磁電阻傳感器常用的橋式結(jié)構(gòu)只有大橋與小橋兩種。巨磁阻又稱特大磁電阻，即GMR，比AMR技術(shù)磁頭靈敏度高2倍以上，GMR磁頭是由4層導(dǎo)電材料和磁性材料薄膜構(gòu)成的:一個(gè)傳感層、一個(gè)非導(dǎo)電中介層、一個(gè)磁性的栓層和一個(gè)交換層。

　以下是幾種利用材料的磁電效應(yīng)制造對(duì)磁場(chǎng)敏感的傳感器的常見(jiàn)材料和技術(shù)：磁阻傳感器：這類(lèi)傳感器利用磁電阻效應(yīng)，即材料的電阻隨磁場(chǎng)的變化而變化。其中最常見(jiàn)的是巨磁阻效應(yīng)（GMR）和磁電阻效應(yīng)。這種傳感器可以用來(lái)檢測(cè)和測(cè)量磁場(chǎng)的強(qiáng)度和方向。磁電場(chǎng)傳感器：這種傳感器使用磁電效應(yīng)中的自發(fā)磁電效應(yīng)，即材料在磁場(chǎng)作用下產(chǎn)生形變，進(jìn)而產(chǎn)生電勢(shì)的變化。常用的材料包括壓電磁體材料，如鐵電體材料和磁電應(yīng)力材料。這種傳感器可以用于測(cè)量磁場(chǎng)的變化和磁場(chǎng)的強(qiáng)度。

　算鋼傳感器：這種傳感器利用霍爾效應(yīng)，即材料中的載流子在磁場(chǎng)作用下發(fā)生偏轉(zhuǎn)，導(dǎo)致電荷的分離，形成電壓差。晶體管材料通常用于制造這種類(lèi)型的傳感器。算鋼傳感器可以檢測(cè)和測(cè)量磁場(chǎng)強(qiáng)度，并且具有相對(duì)較高的靈敏度。磁電復(fù)合材料傳感器：這類(lèi)傳感器結(jié)合了磁阻效應(yīng)和壓電效應(yīng)。它們利用磁場(chǎng)對(duì)磁電復(fù)合材料的力學(xué)和電學(xué)性質(zhì)的耦合效應(yīng)進(jìn)行測(cè)量。這種傳感器具有較高的靈敏度和較寬的測(cè)量范圍。